Микросхемы памяти SuperFlash® от Microchip

ул. Автобазовская 10 36008 Украина, Полтава +38(067)572-17-00
Микросхемы памяти SuperFlash® от Microchip

Компания Microchip представила новые SST26WF080B/080BA/016B SQI микросхемы FLASH памяти, использующие 4-битный мультиплексированный последовательный I/O интерфейс для повышения производительности, сохраняя при этом компактный форм-фактор стандартных последовательных флэш-устройств. SST26WF080B/080BA/016B также поддерживают полную совместимость с набором команд для традиционных последовательных периферийных интерфейсов (SPI протокол). Работающие на частотах, достигающих 104 МГц, SST26WF080B/080BA/016B обеспечивают минимальную задержку выполнения без загрузки в ОЗУ (XIP) и необходимости отслеживания кода в SRAM. SST26WF080B/080BA/016B производит запись (программирование или стирание) от одного источника питания, потребляя напряжение 1,65 - 1,95 В и совсем незначительный уровень мощности.

Низкое энергопотребление делает эти микросхемы памяти идеальным выбором для мобильных телефонов, Bluetooth®, GPS, модулей камеры, планшетов, слуховых аппаратов и любых устройств с портативным питанием. Дополнительные преимущества достигаются с патентованной высокоэффективной технологией SST в CMOS SuperFlash®, что значительно повышает производительность и надежность.

Особенности:

• Архитектура последовательного интерфейса: 4-х битный мультиплексный I/O с SPI-совместимой последовательной командной структурой;

• Режим 0 и режим 3;

• x1/x2/x4 последовательный периферийный интерфейс (SPI протокол) - пакетные режимы;

• Непрерывная линейная разбивка, 8/16/32/64 байтовая разбивка с циклическим переходом;

• Страничная программа: 256 байт на странице в x1 или x4 режиме;

• Гибкая возможность стирания;

• Защита от записи программным обеспечением: индивидуальный блок-замок (64 МБайт блок, два 32 КБайт блоки, восемь 8 Кбайт блоков параметров);

• Низкое потребление мощности: активный ток чтения: 15 мА (типичное значение для 104 МГц), ток в режиме ожидания: 10 мкА (типичное значение);

• SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters);

• Доступные корпуса: 8-контактный WSON (6 мм х 5 мм), 8-выводный SOIC, 8-контактный USON (2 мм х 3 мм), 8-шаровый FBGA (Z-Scale);

• Все устройства соответствуют директиве RoHS.


Дата: 17-04-2015