Новый мощный LDMOS транзистор NXP BLF6G20LS-110

ул. Автобазовская 10 36008 Украина, Полтава +38(067)572-17-00
Новый мощный LDMOS транзистор NXP BLF6G20LS-110

Компания NXP Semiconductors запустила в продажу новый мощный LDMOS транзистор BLF6G20LS-110, который предназначен для применения в базовых станциях на частотах 1800 - 2000 МГц. Эти транзисторы имеют простое управление, надежную комплексную защиту от электростатического разряда (ESD protection), а также отличную прочность и термическую стабильность. Транзистор BLF6G20LS-110 имеет внутреннее согласование для простоты использования и идеально подходит для ВЧ усилителей в GSM, GSM EDGE, W-CDMA и CDMA базовых станциях.

 

Особенности:

• Стандартная производительность на 2-х несущих W-CDMA частотах 1930MHz и 1990MHz, при потреблении питания 28 В и 900 мА IDq:

- средняя выходная мощность = 25 Вт;

- усиления мощности = 19 дБ;

- эффективность = 32%;

- IMD3 = -34dBc;

- ККПП = -38dBc.

• Простота в управлении мощностью;

• Интегрированная защита ESD;

• Отличная прочность;

• Высокая эффективность;

• Отличная термическая стабильность;

• Предназначен для широкополосной работы (1800МГц - 2000MГц);

• Соответствует Директиве 2002/95/EC, об ограничении использования опасных веществ (RoHS)

 

Применение:

• ВЧ усилители мощности для GSM, GSM EDGE, W-CDMA и CDMA базовых станций;

• приложения с несколькими несущими частотами в диапазоне 1800 МГц - 2000 МГц.


Дата: 26-06-2015