MACOM представила новый HEMT импульсный мощный транзистор на 650 Вт

ул. Автобазовская 10 36008 Украина, Полтава +38(067)572-17-00
MACOM представила новый HEMT импульсный мощный транзистор на 650 Вт

Компания M/A-COM Technology Solutions Inc ("MACOM"), ведущий поставщик высокопроизводительных аналоговых ВЧ/СВЧ и оптических полупроводниковых изделий, объявила о старте полноценных продаж своего нового мощного транзистора MAGX-000912-650L0х. Это устройство создано с использованием HEMT технологии на основе нитрида галлия (GaN) поверх карбида кремния (SiC). Основной сферой применения данного мощного транзистора являются импульсные приложения авионики в L-диапазоне. Стоит отметить, что транзистор MAGX-000912-650L0х доступен в стандартном фланцевом корпусе как с «ушным» креплением, так и без него.

Работая в диапазоне частот 960-1215 МГц, мощный транзистор MACOM MAGX-000912-650L0x отличается высокой надежностью и выносливостью, а также наличием золотой металлизации и средним временем наработки до отказа (MTTF) около 600 лет.

MAGX-000912-650L0x имеет пиковую мощность 650 Вт с величиной усиления 20 дБ. Полупроводниковая структура разработана для достижения высокого значения напряжения пробоя стока (BVdss), что гарантирует надежную и стабильную работу при 50 В даже в экстремальных условиях несогласованных нагрузок, что является бесспорным преимуществом над старыми полупроводниковыми технологиями. Другие особенности включают в себя малую неравномерности усиления по частоте и широкополосную конфигурацию с общим истоком в классе АВ.

Мощный импульсный транзистор MAGX-000912-650L0x оптимизирован для гражданских и специализированных приложений авионики, в том числе для импульсных усилителей в диапазоне от 960 до 1215 МГц в Mode-S, TCAS, JTIDS, DME и TACAN режимах работы.

MACOM MAGX-000912-650L0x соответствует директиве RoHS и выдерживает температурный перегрев до 260°С.

В таблице ниже приведены типичные характеристики транзистора MAGX-000912-650L0x:

Параметры

Ед.

MAGX-000912-650L0x

Частота

MHz

960-1215

Pout

W

650

Усиление

dB

20

Эффективность

%

62

Импульс

µs

128

Duty

%

10


Дата: 12-11-2015