Нове сімейство потужних ВЧ транзисторів BLL8Hxx від NXP

ул. Автобазовская 10 36008 Украина, Полтава +38(067)572-17-00
Нове сімейство потужних ВЧ транзисторів BLL8Hxx від NXP

NXP представили сімейство потужних ВЧ транзисторів BLL8Hxx на основі 8-го покоління 50В LDMOS технології, для використання в радарах L-діапазону. Лінійка BLL8Hxx відмінно підходить для роботи в широкосмуговому діапазоні (1,2-1,4 ГГц), маючи при цьому рівень вихідної потужності 25, 130, 250 і 500 Вт (Р, 1 дБ). Крім того нові силові ВЧ транзистори від NXP характеризуються наявністю інтегрованого двостороннього захисту від ESD, внутрішнім узгодженням, поліпшеною міцністю, високою ефективністю (середнє знач. 50%) і чудовою теплової стабільністю.

- BLL8H0514-25: 25 Вт LDMOS транзистор призначений для імпульсних застосувань в діапазоні 0,5 ГГц до 1,4 ГГц;

- BLL8H0514L (S) -130: 130 Вт LDMOS транзистор призначений для імпульсних застосувань в діапазоні 0,5 ГГц - 1,4 ГГц;

- BLL8H1214LS-500: 500 Вт LDMOS потужний транзистор призначений для радарів L-діапазону від 1,2 ГГц до 1,4 ГГц;

- BLL8H1214L (S) -250: 250 Вт LDMOS потужний транзистор призначений для радарів L-діапазону працюють на частотах від 1,2 ГГц до 1,4 ГГц.

 

Особливості та переваги:

- Простота контролю потужності

- Вбудований двосторонній захист від ESD

- Висока гнучкість по відношенню до формату імпульсу

- Покращена міцність

- Висока ефективність

- Відмінна термічна стабільність

- Призначений для широкосмугової роботи (від 1,2 ГГц до 1,4 ГГц)

- Відповідають директиві 2002/95 / EC про обмеження використання небезпечних речовин (RoHS)

 

Застосування:

- Підсилювачі потужності L-діапазону для радарів в діапазоні частот 1,2 ГГц до 1,4 ГГц.


Дата: 08-04-2015