Новий потужний LDMOS транзистор NXP BLF6G20LS-110

ул. Автобазовская 10 36008 Украина, Полтава +38(067)572-17-00
Новий потужний LDMOS транзистор NXP BLF6G20LS-110

Компанія NXP Semiconductors запустила в продаж новий потужний LDMOS транзистор BLF6G20LS-110, який призначений для застосування в базових станціях на частотах 1800 - 2000 МГц. Ці транзистори мають просте управління, надійний комплексний захист від електростатичного розряду (ESD protection), а також відмінну міцність і термічну стабільність. Транзистор BLF6G20LS-110 має внутрішнє погодження для простоти використання і ідеально підходить для ВЧ підсилювачів в GSM, GSM EDGE, W-CDMA і CDMA базових станціях.

 

Особливості:

- Стандартна продуктивність на 2-х несучих W-CDMA частотах 1930MHz і 1990MHz, при споживанні живлення 28 В і 900 мА IDq:

- Середня вихідна потужність = 25 Вт;

- Посилення потужності = 19 дБ;

- Ефективність = 32%;

- IMD3 = -34dBc;

- ККПП = -38dBc.

- Простота в управлінні потужністю;

- Інтегрований захист ESD;

- Відмінна міцність;

- Висока ефективність;

- Відмінна термічна стабільність;

- Призначений для широкосмугового роботи (1800МГц - 2000MГц);

- Відповідає Директиві 2002/95 / EC, про обмеження використання небезпечних речовин (RoHS)

 

Застосування:

• ВЧ підсилювачі потужності для GSM, GSM EDGE, W-CDMA і CDMA базових станцій;

• додатки з декількома несучими частотами в діапазоні 1800 МГц - 2000 МГц.


Дата: 26-06-2015